重庆：直升机悬停百米高空为特高压线路带电消缺

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大家看前面的资料可以发现，机悬海思麒麟955的四颗CortexA72核心并没有什么卵用，跑分结果和只有两颗CortexA72的联发科HelioX25基本一样。更进一步，停百特高今天晚间小米Max的安兔兔跑分结果都被媒体放出来，114512分的成绩在2016年新机里属于中上水平。

最让笔者意外的是不少媒体一口咬定该机将会搭载小米与联芯合作开发的处理器，米高代号步枪。因为他们会有两种选择，压线一是像海思一样的激进，使用四颗CortexA72核心;二是像联发科一样务实，使用两颗CortexA72核心。最后，电消步枪这个代号也能作为佐证，如果是颗高端芯片，那就应该叫大炮或者原子弹了。

重庆直升先看同一代ARM架构芯片的情况。这就让笔者对这颗芯片的详情十分感兴趣，机悬下面就来根据小米Max的已有信息对步枪的处理器架构做一番推测。

小米和联芯没有理由会像联发科一样再塞四颗低频的CortexA53在里面，停百特高这样做省电的程度十分有限。

首先步枪肯定不会像高通一样使用自己设计的核心，米高因为联芯不具备这个技术实力，米高所以只会像海思或者联发科那样在CortexA72和CortexA53这两种ARM公版设计的核心中进行搭配。尽管如此，压线根据半导体物理学，理论上每个半导体都能够迁移空穴和电子，但到目前为止绝大多数晶体管仍然显示出单极型主导的电荷传输。

i）不同输入电压和2V恒定VDD下的输出电压，电消增益值和器件电流。重庆直升d）在各种控制栅极偏压下测试的柔性TFT的转移特性曲线;在相同的控制栅极偏压下测试的双栅TFT的典型的p型和n型输出特性曲线。

机悬图十五a）聚合物PTDPPSe-Si的化学结构和基于PTDPPSe-SiC5薄膜（退火温度：220℃）的OFET的转移特性曲线。停百特高图五a）底栅极顶接触的基于indigo的OFET的结构（上）和各种indigo衍生物（下）。